應用描述
充電要求在高溫環(huán)境下具有高電壓、高電流和高性能,因此開發(fā)高能效、高性能、具有豐富保護功能的充電樁對于實現(xiàn)快速充電、提升續(xù)航歷程至關重要。華太推出了用于電動汽車直流充電樁的可以替代超結MOS的高性能超級結 IGBT 和具成本優(yōu)勢的 IGBT方案。
10-30kW 拓撲
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功率器件系列產品
IGBT單管
集成Doherty設計,覆蓋700M-5GHz應用頻率,峰值功率6~100W; 自主28V LDMOS 工藝平臺,全國產供應; 產品性能國際領先,已在國內外關鍵客戶大規(guī)模量產。
峰值功率20W-1000W; 工作頻率10MHz-6GHz;基于自主知識產權的28V,50V LDMOS和GaN工藝平臺開發(fā) 全國產供應; 封裝材料自主開發(fā)設計,具有低成本、高可靠性。
峰值功率最大支持75W CW;主要工作頻段頻率覆蓋VHF和UHF;主要工作電壓:3.6V,7.2V和12.5V
峰值功率10W到4000W;工作頻率400KHz到2.5GHz;
峰值功率25dBm,供電5V,覆蓋主要的通信頻段1800~5000MHz;
提供射頻核心器件,擁有國際領先的LDMOS 自主工藝和MMIC設計團隊,幫助客戶快速完成系統(tǒng)開發(fā)。
針對關鍵的汽車電子系統(tǒng),提供創(chuàng)新的汽車級半導體解決方案。華太已全面布局車規(guī)功率,車載芯片能力建設并陸續(xù)進入汽車尤其新能源汽車供應體系。
華太自主創(chuàng)新的LDMOS可實現(xiàn)低成本、高性能WiFi射頻功放產品,助力大功率WiFi路由器實現(xiàn)突破。
針對關鍵的汽車電子系統(tǒng),提供創(chuàng)新的汽車級半導體解決方案。華太已全面布局車規(guī)功率, 車載芯片能力建設并陸續(xù)進入汽車尤其新能源汽車供應體系
提供可靠高效優(yōu)質的下一代功率半導體,縮短開發(fā)時間,同時實現(xiàn)超乎預期的功率密度和超低功率損耗,推動低碳發(fā)展。
峰值功率10W到4000W;工作頻率400KHz到2.5GHz
充電要求在高溫環(huán)境下具有高電壓、高電流和高性能,因此開發(fā)高能效、高性能、具有豐富保護功能的充電樁對于實現(xiàn)快速充電、提升續(xù)航歷程至關重要。華太推出了用于電動汽車直流充電樁的可以替代超結MOS的高性能超級結 IGBT 和具成本優(yōu)勢的 IGBT方案。
功率器件系列產品
IGBT單管