壓等優(yōu)點(diǎn)。" /> 最近好看的2019中文在线一页,亚洲综合视频在线

產(chǎn)品描述

HAD0230 是一款集成解決方案,將 N-通道功率 MOSFET、低壓振蕩器、電荷泵和低功耗電壓感知單元集成在 TO-263 封裝中。它與傳統(tǒng)的D2PAK封裝肖特基二極管兼容,和傳統(tǒng)二極管相比,它提供了低正向電壓、低功耗、極小的漏電流和高反向電壓等優(yōu)點(diǎn)。


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優(yōu)勢(shì)介紹

  • 最大反向電壓(VR)為100V

  • 正向電壓(VF)在20A正向電流(IF)下為92mV

  • 在IF=20A和125°C環(huán)境溫度(TA)下連續(xù)工作時(shí),功耗低于2W

  • 在VR=100V時(shí)的低反向泄漏電流為0.2μA

  • 當(dāng)源極到漏極電壓(VSD)為-20mV時(shí)的低反向閂鎖響應(yīng)時(shí)間為3.5μs

  • ESD等級(jí)為30kV(HBM)

  • 工作環(huán)境溫度范圍(TA)為-40℃至125℃

  • 零靜態(tài)功耗(IQ到GND)

28V LDMOS MMIC

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